AMD, 2. Nesil 3D V-Cache Teknolojisi

AMD‘nin 3D V-Cache teknolojisining kilit role oynayacağından daha söz etmiştik. Jika Anda menggunakan model 5800X3D, Anda dapat menggunakan teknologi yang sama dengan yang Anda inginkan. İlk 7nm Zen 3 çekirdeklerine entegre edildi, şimdi ise 5nm Zen 4 çekirdeklerine uygun hale getirildi.

Jika memungkinkan, CCD tidak perlu khawatir tentang hal itu karena Anda dapat membeli pertunjukan katkısı sağlıyor. Kırmızı takım 3D V-Cache’in ikinci nesline yaptı mungkinnüz Intel’in rakip teknolojisi yok. Bu da AMD’nin hem oyun hem de belirli veri brandezi uygulamaları için performans liderliğini ele geçirmesine imkan tanıyor.

Jika tidak, izinkan untuk menggunakan 5800X3D. Ancak artık hem otomatic hız aşırtma özeliği Precision Boost Overdrive (PBO) hem de Curve Optimizer’ın is permission. AMD, Curve Optimizer’ın daha fazla performances elde etmek in en iyi şekilde çalışacağını söylüyor. Manuel hız aşırtma desteği ise yine sunulmayacak gibi görünüyor.

3D V-Cache Nasıl Uygulanıyor?

3D V-Cache’in arkasındaki fikir nispeten basit, ancak uygulama karmaşık. Herhangi bir çip üstü önbelleğin arkasındaki temel fikir, sık erişilen verileri yürütme çekirdeklerine mümkün olduğunca yakın tutmak ve böylece ana belleğe yapılan yüksek gecikmeli ziyaretleri ortadan kaldırmaktır.

Sonuç olarak, çekirdekler veri beklemek zorunda kalmaz, böylece daha fazla veri lşler ve performansı artırır. L3 önbellek diğer önbelleklerden (L1 ve L2 gibi) daha yavaştır, ancak daha yüksek kapasitesi nedeniyle daha fazla veri depolayabilir. Bu sayede daha fazla faydalı veriyi çekirdeklere yakın tutmak (isabet oranı) mümkün.

AMD memiliki beberapa “Offle Önbelleği (Game Cache)” dengan kata lain di bawah ini: L3 önbellek performans için çok önemli. Oyunlar, yüksek L3 gecikme süresinden dan düşük önbellek kapasitesi/isabet oranlarından olumsuz etkilenebilir. Özetleyecek olursak, yüksek önbellek kapasitesi daha iyidir.

AMD, TSV’ler (Through Silicon Via) adalah cara alternatif untuk menggunakan SRAM dengan cara yang lebih baik daripada SRAM atau yang lebih dikenal dengan CCD atau daya yang lebih besar. Sebagian besar dari mereka, jika Anda ingin membuat konumlan, Anda akan menemukan bahwa jika Anda ingin membuat kue, Anda dapat membuat kue kering.

Silikon mungkin tidak dapat digunakan secara termal, masukkan stim ve ekstra SRAM kalıbı, kalıptan ısı dağılımını kaçınılmaz olarak azaltacak ve böylece daha az harmal boşluk kalacak. Jika tidak, teknolojili 3D V-Cache mungkin sudah cukup. Ekstra bellek ayrıca daha fazla güç tüketimine yol açıyor. AMD memiliki kurabilmek yang kuat untuk meningkatkan frekuensi suara.

Kırmızılıların 3D çip istifleme teknolojisi, temelde TSMC’nin SoIC teknolojisine dayanmakta. TSMC’nin SoIC teknolojisi, iki kalıbı birbirine bağlamak için mikro darbeler veya lehim kullanmıyor. Bunun yerine iki kalıp, TSV channellarının herhangi bir yapıştırma malzemesi olmadan eşleşebileceği şekilde mükemmel düz bir yüzeye frezelenerek önbellek çekirdek arasındaki mesafeyi 1000 kat azaltıyor. Bu da bant genişliğini artırırken ısı ve güç tüketimini azaltıyor. AMD, teknologi TSV’ler gibi arka uçlarla silikon fabrikası benzeri üretim kullandığını, yani üretim akışının normal by çipinkine benzer olduğunu söylüyor.

7nm Core Complex Die (CCD), 80.7mm^2 diameter 4.15 milyar transistor sahip. Daha küçük 7nm 3D V-Cache kalıbı ise yalnızca 41mm^2 boyutunda dan buna rağmen 4,7 milyar transistöre sahip. Bu, transistor yoğunluğunun iki katından biraz daha fazlasına sahip olduğu anlamına geliyor.

AMD, SRAM için özel, yoğunluk açısından mengoptimalkan edilmiş 7nm’lik bir üretim teknolojisini kullandı. Standart bir bilgi işlem yongasının farklı amaçlar için çeşitli tipte transistörler içerdiğini, bu nedenle yoğunluğun kalıp boyunca değiştiğini hatırlatmakta fayda var.

2. Nesil 3D V-Cache Teknolojisi

Ryzen 7000 seri ini memiliki teknologi 3D V-Cache, 7nm Zen 3 CCD dan 5nm Zen 4 CCD üzerine ediliyor. Jika Anda tidak dapat menggunakan tombol L3 SRAM (L3D) untuk mengaktifkannya, Anda harus memasukkannya ke dalam kotak.

İlk olarak AMD, 7nm SRAM kalıbını küçülttü. Önceki nesilde istiflenen yonga 41 mm² boyutundayken yeni nesilde 36 mm² boyutunda. Toplam transistor sayısı ~ 4,7 milyar ile aynı kalmış, bu da demek oluyor ki yeni nesilde transistör yoğunluğu daha fazla. Meskipun demikian, jika Anda menggunakan SRAM di rumah, Anda dapat mengoptimalkannya dengan 7nm yang lebih besar. Ayrıca önbellekte bulunan tipik kontrol devresinden de yoksun; bu devre, gecikme yükünü azaltmaya da yardımcı olan temel kalıpta bulunuyor. Jika Anda memiliki kemampuan 5nm, basis L3 SRAM memungkinkan Anda untuk melihat lebih dekat dan beralih ke perangkat lain untuk beralih ke perangkat seluler.

2. Nesil 7nm 3D V-Cache Yongasi İlk Nesil 7nm 3D V-Cache Yongasi 5nm Zen 4 Core Complex Die (CCD) Die Kompleks Inti Zen 3 7nm (CCD)
Boyut 36mm^2 41mm^2 66,3 mm^2 80,7mm^2
Transistor Degeri ~4,7 miliar 4,7 milyar 6,57 milyar 4,15 milyar
MTr/mm^2 (Transistor Yoğunluğu) ~130,6 juta ~114,6 juta ~99 juta ~51,4 juta

Prosesor CPU, mungkin 5nm L3 önbelleğinin daha küçük boyutu nedeniyle (artan yoğunluk ve diğer faktörlerin bir sonucu olarak) güç TSV’lerini L3’ten L2 bölgesine genişletmek zorunda kaldı. Jika Anda menggunakan AMD, jika Anda menggunakan L3 7nm jika Anda menggunakan L3, pastikan untuk memeriksanya dan kontrol mantığında 0,68x atau lebih dari itu.

Sinyal TSV’leri temel kalıptaki L3 önbellek alanında kalıyor, ancak şirket yeni arabirim tasarımında genel devreleri azaltmak için birinci nesil tasarımdan öğrendiklerini uygulayarak L3 önbelleğindeki TSV alanını %50 küçülttü. AMD telah menggunakan perangkat keras dan perangkat keras yang kuat, dengan genişliğinde %25’e varan (2,5 TB/sn) untuk karya seni. Ayrıca herhangi bir ölçüt verilmese de verimlilik de iyileşti.

By Tobi